駐極體話筒內(nèi)實(shí)際藏有一枚FET，如您喜歡的話，可視之為一級，F(xiàn)ET將話筒前振膜之電容變化放大，這就是駐極休話筒很靈敏的原因。
音頻放大級乃由其射極晶休管VT1擔(dān)任，增益約20至50，將放大的訊號送往振蕩級之基極。
振蕩級VT2工作于約88MHz之頻率，這頻率由振蕩線圈（共5圈）和47pF電容器調(diào)整的，該頻率也決定于晶體管、18pF回輸電容器及還有少數(shù)偏壓元件，例如470Ω射極電阻和22K基極電阻。
電源接通時(shí)，1nF基極電容器通過22K電阻逐漸充電，而18pF則經(jīng)振蕩線圈的470Ω電阻充電，但更加之快，47pF電容也充電（其兩端雖僅得小的電壓），線圈產(chǎn)生磁場。
基極電壓漸漸上升時(shí)，晶體管導(dǎo)通，并有效地將內(nèi)阻并接在18pF兩側(cè)。當(dāng)1nF電容充電至該極的工作電壓時(shí)，就會發(fā)生好幾個(gè)雜亂的周波，故此，我們假定討論在靠近工作電壓之時(shí)。基極電壓繼續(xù)上升，18PF電容試圖阻止射極用壓的移動(dòng)，到電容器內(nèi)的能量耗盡及再不阻止射級移動(dòng)之時(shí)，基一射極電壓降低，晶體管截止，流人線圈的電流也停止，磁場衰潰。
磁場衰潰，產(chǎn)生一個(gè)相反方向的電壓，集極電壓反過來從原本的2.9V上升至超過3V，并以相反方向47pF電容充電，這電壓也影響到對18pF電容充電，及470Ω射極電阻上的電壓降使到晶休管進(jìn)入更深的截止。18pF電容充電時(shí)，射電壓下跌，并跌到某一晶休管開始導(dǎo)通，電流流入線圈，與衰潰磁場對抗。線圈上之電壓反轉(zhuǎn)，形成集極電壓下降，這個(gè)變化通過18pF電容傳送到射極上，結(jié)果晶休管進(jìn)入更深的導(dǎo)通，把18pF電容短路，周期再開始重復(fù)。
故此，VT2在此形成一個(gè)振蕩，產(chǎn)生88MHz的交流訊號。放大后之音頻訊號經(jīng)電容C2潰入到VT2之基極，改變振蕩頻率，產(chǎn)生所需的FM訊號。 |
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